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portada Energielücke einer Halbleiterdiode - Experiment (in German)
Type
Physical Book
Language
German
Pages
56
Format
Paperback
Dimensions
22.9x15.2x0.3 cm
Weight
0.10 kg.
ISBN13
9786206534457
Categories

Energielücke einer Halbleiterdiode - Experiment (in German)

Radhika Ikkurti (Author) · Verlag Unser Wissen · Paperback

Energielücke einer Halbleiterdiode - Experiment (in German) - Ikkurti, Radhika

New Book Imported to Taiwan
Delivery: 14 Oct - 22 Oct Shipping: 14 to 15 business days.
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Synopsis "Energielücke einer Halbleiterdiode - Experiment (in German)"

Es gibt eine kurze Zusammenfassung darüber, wie Energielücken gefunden werden und welche Anwendungen sie haben. Die Elektronendichte ist viel grö er als die Lochdichte im Halbleiter vom n-Typ, dargestellt als ne nh, während die Lochdichte im Halbleiter vom p-Typ viel grö er ist grö er als die Elektronendichte: nh ne.In einem Halbleiter vom n-Typ liegt das Donatorenergieniveau nahe am Leitungsband und entfernt vom Valenzband. Im p-Typ-Halbleiter hingegen liegt das Energieniveau des Akzeptors nahe am Valenzband und vom Leitungsband entfernt.Die im p-Typ-Halbleiter hinzugefügte Verunreinigung sorgt für zusätzliche Löcher, die als Akzeptoratome bekannt sind, während die im n-Typ-Halbleiter hinzugefügte Verunreinigung zusätzliche Elektronen liefert, die als Donoratome bezeichnet werden.Das Fermi-Niveau des n-Typ-Halbleiters liegt zwischen dem Donor-Energieniveau und dem Leitungsband, während das des p-Typ-Halbleiters zwischen dem Akzeptor-Energieniveau und dem Valenzband liegt.Im p-Typ-Halbleiter bewegen sich die Mehrheitsträger vom höheren zum niedrigeren Potenzial, im Gegensatz zum n-Typ, wo sich die Mehrheitsträger vom niedrigeren zum höheren Potenzial bewegen.

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The book is written in German.
The binding of this edition is Paperback.

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